特許
J-GLOBAL ID：200903076441868202
半導体光電気変換装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-045439
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013644
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体イメージセンサ装置のゲート絶縁膜の耐圧歩留りを向上させ、かつそのことによるゲート電極の抵抗の増加を防ぐ。【構成】 ゲート電極1にAlではなくPOLY Si(多結晶シリコン膜)またはW(タングステン)Si(シリサイド)(WSiと書かれるが厳密にはWxSiy と組成は不定である)やTi Si(シリサイド)(Tix Siy )のようなシリサイド系高融点金属膜を使用する。また、コンタクト孔2を配向用層間絶縁膜たる層間絶縁膜4と貫通してゲート電極1上に設け、その上に出力端子につながるAl電極3を設ける。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と該半導体基板の表面に設けられた第2導電型の不純物領域とから構成される受光素子と、該受光素子のいずれか一方の端子に電気的に接続したコンデンサとから成る半導体光電気変換素子において、該コンデンサを構成する容量形成用絶縁膜の上の上部コンデンサ電極が多結晶シリコン膜から成ることを特徴とする半導体光電気変換装置。
IPC (3件)：
H01L 31/10
, H01L 27/146
, H01L 27/14
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 C
, H01L 27/14 K
