特許
J-GLOBAL ID：200903076442363252
無尖端埋込酸化膜領域を備えたSOIウエハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-127858
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340775
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 埋込酸化膜領域が最善の形状でないという欠点があった。【解決手段】 本発明の方法は、ウエハ1内で複数の突出領域48とその間で延びたトレンチ45とを形成するステップと、窒素イオンで打ち込まれ、突出領域48の先端を囲んだマスク領域55,56を形成するステップと、トレンチ45の底で遅延領域57を形成するステップとを有し、遅延領域の窒素はマスク領域より低いドーズ量で打ち込まれる。熱酸化が実行され、突出領域48の底部分で始まって下向きに進行する。埋込酸化膜の連続領域が形成され、突出領域の先端に対応し、且つ連続的なエピタキシャル成長のための核領域を形成する未酸化膜領域が連続領域65の上に横たわる。マスク領域55,56と遅延領域57とは、斜め打ち込みを含んだ二回の連続した打ち込みを介して形成される。
請求項（抜粋）：
単結晶半導体材料のウエハ1内に、該ウエハにおいて横方向へ境界を定める複数の突出部48とその間に延びるトレンチ45とを形成するステップと、底で前記突出部48を酸化し、前記単結晶半導体材料の核領域60によって上に横たわされた少なくとも一つの連続した埋込酸化膜領域65を形成するステップと、前記核領域から出発した結晶半導体材料の層66をエピタキシャル的に成長させるステップとを有するSOIウエハ70を製造するための方法であって、底で酸化する前記ステップが、前記突出部48の底部分を最初に酸化するステップと、前記トレンチ45の底面と、前記突出部48の前記底部分の底面とを次に酸化するステップとを有することを特徴とするSOIウエハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 Z
, H01L 21/316 S
