特許
J-GLOBAL ID：200903076445093795
自励発振型半導体レーザ素子の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-321639
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163572
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 動作寿命が長く、閾値の小さい安定した良好な特性を有する自励発振型半導体素子を提供する。また、光ディスク装置のピックアップ用光源として用いた際、レーザの戻り光雑音を低減させ、高性能な光ディスク装置を低コストで実現可能とする自励発振型半導体素子を提供する。【解決手段】 可飽和吸収層を備えた自励発振型半導体レーザ素子の成長方法において、可飽和吸収層における可飽和吸収層を構成する半導体層の内で最小の禁制帯幅を有する半導体層1の成長温度と、活性層を構成する半導体層の内で最小の禁制帯幅を有する半導体層2の成長温度との差が30°C以上であることを特徴とする自励発振型半導体レーザ素子の成長方法。
請求項（抜粋）：
可飽和吸収層を備えた自励発振型半導体レーザ素子の成長方法において、少なくとも1つの可飽和吸収層における可飽和吸収層を構成する半導体層の内で最小の禁制帯幅を有する少なくとも1つの半導体層1の成長温度と、活性層を構成する半導体層の内で最小の禁制帯幅を有する少なくとも1つの半導体層2の成長温度との差が30°C以上であることを特徴とする自励発振型半導体レーザ素子の成長方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/203
, H01L 21/205
H01S 3/18
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
