特許

J-GLOBAL ID：200903076445425810

ICチップの製造方法

発明者： 鈴木 卓夫 ,  畠井 宗宏
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-181921
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373871
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】 50μm程度の厚さのシリコンウエハを加工する場合であっても、シリコンウエハの破損等を防止し、取扱性を改善し、良好にICチップへの加工が行えるICチップの製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも研削工程又はダイシング工程において、補強シリコンウエハ薄膜を研削用テープ又はダイシングテープに貼り付けた状態でシリコンウエハの加工を行うICチップの製造方法であって、前記補強シリコンウエハ薄膜は、エネルギーを付与されることにより粘着力が低下する粘着剤層を介してシリコンウエハが支持体により補強されてなるものであるICチップの製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも研削工程又はダイシング工程において、補強半導体ウエハ薄膜を研削用テープ又はダイシングテープに貼り付けた状態で半導体ウエハの加工を行うICチップの製造方法であって、前記補強半導体ウエハ薄膜は、エネルギーを付与されることにより粘着力が低下する粘着剤層を介して半導体ウエハが支持体により補強されてなるものであることを特徴とするICチップの製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 P ,  H01L 21/78 Q