フラッシュディスク装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-054726
公開番号（公開出願番号）：特開2005-242897
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】アドレステーブルの内容の頻繁な変更をなくすと共に、特定の領域における書換え回数の増加を抑制するために、書換え回数を平準化して寿命低下を防止する。【解決手段】ホストマシン1から指定される論理アドレスに関係なく、フラッシュメモリ20上にデータ格納用の空き領域を予め用意し、ホストマシン1からのライトデータを順次書込み、平行してバックグランドでデータの無効となったブロック21を消去していくが、その際に論理アドレスと物理アドレスの関係を保持するアドレステーブル30を、RANのようなワード単位での書換え可能な不揮発性メモリ12に保持する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

物理アドレスが付された複数のデータ格納用のページにより構成されるブロックを複数有し、前記ページ単位でデータの書込みと読出しが行われ、前記ブロック単位でデータの消去を行った後にその消去されたブロック中の所定のページに対してデータの書込みが行われるフラッシュメモリと、ホストから指定される論理アドレスを前記物理アドレスに変換するための情報が記録されたアドレステーブルを保持する、ワード単位での書換え可能な不揮発性メモリと、前記ホストからの命令に基づいて装置全体を制御する制御手段とを備え、前記論理アドレスに関係無く前記フラッシュメモリ上にデータ格納用の空き領域を予め用意し、この用意された空き領域に前記ホストからのデータを順次書込む構成にしたことを特徴とするフラッシュディスク装置。

IPC (3件)：

G06F12/16 , G06F3/06 , G06F3/08

FI (3件)：

G06F12/16 310A , G06F3/06 304Z , G06F3/08 H

Fターム (10件)：

5B018GA04 , 5B018HA23 , 5B018MA22 , 5B018NA06 , 5B018QA15 , 5B065BA05 , 5B065CC02 , 5B065CC03 , 5B065EA11 , 5B065ZA16

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平2-292798号公報(特許3226042号)「フラッシュEEpromシステム」
フラッシュEEpromシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-023842 出願人：サンディスクコーポレイション
フラッシュメモリを使用した記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-318159 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (1件)

半導体メモリ装置ならびにその制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-261806 出願人：日立マクセル株式会社

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