特許

J-GLOBAL ID：200903076451534310

量子波干渉層を有したダイオード

発明者： 加納 浩之
出願人/特許権者： カナレ電気株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123483
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303438
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】pinダイオードにおいて逆電圧印加時のVI特性を改良すると共に新規な機能を有するダイオードを実現すること【解決手段】pinダイオードのi層において、第1層Wと第1層Wよりもバンド幅の広いバンドを有する第2層Bとを多重周期で積層した量子波干渉層を設けたダイオードで、第1層Wと第2層Bの厚さをキャリアの各層における量子波の波長の4分の1の奇数倍に設定した。又、第1層Wと第2層Bとの境界に、第1層Wと第2層Bの厚さに比べて充分に薄く、エネルギバンドを急変させるδ層を形成した。さらに、複数の量子波干渉層をキャリア蓄積層を挟んで直列に接続した。この構造により逆方向のVI特性における電流の立ち上がりが急峻となると共に新規な特性が得られた。

請求項（抜粋）：

p層とn層とその2つの層に挟まれたi層とを有したダイオードにおいて、前記i層において、第1層と第1層よりもバンド幅の広い第2層との厚さを前記i層に注入される電子又は正孔のうち少なくとも一方のキャリアの各層における量子波の波長の4分の1の奇数倍に設定した量子波干渉層を設けたことを特徴とするダイオード。

IPC (3件)：

H01L 29/866 ,  H01L 29/06 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 29/90 D ,  H01L 29/06 ,  H01L 31/10 A