モニタ方法、露光方法、半導体デバイスの製造方法、エッチング方法及び露光処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-087015
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282663
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】微細なパターン加工寸法を高精度に測定することができるモニタ方法を提供する。【解決手段】下地膜2上に、少なくとも一辺が下地膜2の表面に対して傾斜した傾斜側壁20を有するモニタレジストパターン13を形成し、傾斜側壁20が下地膜と交わる方向に直交する方向のモニタレジストパターン13の幅を測定するステップと、モニタレジストパターン13をマスクとして、下地膜2を選択的にエッチングしてモニタ下地膜パターン12を形成し、傾斜側壁20が下地膜と交わる方向に直交する方向のモニタ下地膜パターン12の幅を測定するステップと、モニタレジストパターン13の幅とモニタ下地膜パターン12の幅との差よりずれ幅Δsを得るステップとを含むモニタ方法である。

請求項（抜粋）：

下地膜上に、少なくとも一辺が前記下地膜の表面に対して傾斜した傾斜側壁を有するモニタレジストパターンを形成し、前記傾斜側壁が前期下地膜と交わる方向に直交する方向の前記モニタレジストパターンの幅を測定するステップと、前記モニタレジストパターンをマスクとして、前記下地膜を選択的にエッチングしてモニタ下地膜パターンを形成し、前記直交する方向の前記モニタ下地膜パターンの幅を測定するステップと、前記モニタレジストパターンの幅と前記モニタ下地膜パターンの幅との差より前記モニタレジストパターンと前記モニタ下地膜パターンのずれ幅を得るステップとを含むことを特徴とするモニタ方法。

IPC (7件)：

H01L 21/66 , G03F 7/22 , G03F 9/00 , H01L 21/02 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , G01B 11/02

FI (9件)：

H01L 21/66 Y , G03F 7/22 H , G03F 9/00 H , H01L 21/02 Z , G01B 11/02 H , H01L 21/302 105 A , H01L 21/30 514 B , H01L 21/30 516 D , H01L 21/30 502 V

Fターム (17件)：

2F065AA22 , 2F065BB02 , 2F065CC17 , 2F065FF04 , 2F065JJ23 , 2F065JJ26 , 2F065QQ31 , 4M106AA01 , 4M106AB20 , 4M106CA50 , 4M106CA51 , 5F004AA16 , 5F004CB13 , 5F046AA25 , 5F046BA04 , 5F046CB17 , 5F046DA02

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体デバイスの製造工程監視方法及びそのシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-036131 出願人：株式会社日立製作所

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