特許

J-GLOBAL ID：200903076459669185

窒化シリコン膜の形成方法、ゲート絶縁膜の形成方法及びp形半導体素子の形成方法

発明者： 片岡 豊隆 ,  齋藤 正樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-306153
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109953
出願日： 2001年10月02日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 信頼性に優れた窒化シリコン膜の形成方法、ゲート電極からシリコン半導体基板へのホウ素原子の拡散防止が可能なゲート絶縁膜の形成方法、及びゲート電極からシリコン半導体基板へのホウ素原子の拡散防止が可能なゲート絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 基材上に水素非含有シリコン化合物ガスを材料ガスとしてシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、上記シリコン膜上に窒素ガス又は水素非含有窒素化合物ガスを配し、さらに上記シリコン膜に電磁波を照射して上記シリコン膜を窒化する窒化工程とを備える。この窒化シリコン膜の形成方法により形成した窒化シリコン膜から当該窒化シリコン膜に隣接する他の部材に水素が拡散することのない信頼性に優れた窒化シリコン膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

基材上に水素非含有シリコン化合物ガスを材料ガスとしてシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、上記シリコン膜上に窒素ガス又は水素非含有窒素化合物ガスを配し、さらに上記シリコン膜に電磁波を照射して上記シリコン膜を窒化する窒化工程とを備えることを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/318 A ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (46件)：

5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF72 ,  5F140AA28 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA12 ,  5F140BA13 ,  5F140BA16 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD10 ,  5F140BE02 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE19 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF34 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB02 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF07