特許

J-GLOBAL ID：200903076461494660

六方晶フェライト磁石

発明者： 田口 仁 ,  増澤 清幸 ,  皆地 良彦 ,  飯田 和昌
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-283537
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138116
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 M型フェライトの飽和磁化と磁気異方性とを同時に高めることにより、従来のM型六方晶フェライト磁石では達成不可能であった高い残留磁束密度と高い保磁力とを有する六方晶フェライト磁石を実現する。【解決手段】 Sr、BaおよびCaから選択される少なくとも1種の元素をAとし、+3価または+4価を取りうるイオン半径が1.00オングストローム以上の元素をRとし、A,RおよびFeを含有し、積層欠陥を有する結晶粒子の数をnとし、全体の結晶粒子の数をNとしたときに、n/Nが0.35以下である六方晶フェライト磁石とした。

請求項（抜粋）：

Sr、BaおよびCaから選択される少なくとも1種の元素をAとし、+3価または+4価を取りうるイオン半径が1.00オングストローム以上の元素をRとし、A,RおよびFeを含有し、積層欠陥を有する結晶粒子の数をnとし、全体の結晶粒子の数をNとしたときに、n/Nが0.35以下である六方晶フェライト磁石。

IPC (3件)：

H01F 1/11 ,  C01G 49/00 ,  C04B 35/26

FI (3件)：

H01F 1/11 B ,  C01G 49/00 C ,  C04B 35/26 Z