特許
J-GLOBAL ID:200903076464907400

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-143330
公開番号(公開出願番号):特開平7-014942
出願日: 1993年06月15日
公開日(公表日): 1995年01月17日
要約:
【要約】【目的】 パッケージ本体に形成された導体パターンに接続される導体スルーホールの開口部上に、半球状のバンプを容易に形成することができる半導体装置を提供する。【構成】 導体パターンが形成されたプラスチック製のパッケージ本体10に半導体チップが搭載された半導体装置であって、該パッケージ本体10の一端面に開口され且つ内壁面に沿って形成された導体層24が前記導体パターンに接続されて成る導体スルーホール22内に、その開口面積よりも大なる面積の鍔部26に立設された金属製のT字ピンのビン部30が、導体層24に接触するように挿入され、且つ導体スルーホール22の開口部を覆う鍔部26の平坦面側に、半球状のバンプ18が形成されていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
導体パターンが形成されたパッケージ本体に半導体チップが搭載された半導体装置において、該パッケージ本体の一端面に開口され且つ内壁面に沿って形成された導体層が前記導体パターンに接続されて成る導体スルーホール内に、導体スルーホールの開口面積よりも大なる面積の鍔部に立設された金属製のT字ピンのピン部が、前記導体層に接触するように挿入されていると共に、前記導体スルーホールの開口部を覆うT字ピンの鍔部の平坦面側に、はんだ等の低融点金属から成る半球状のバンプが形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H01L 23/50

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