特許
J-GLOBAL ID：200903076468578494
不純物の拡散方法ならびに半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-073904
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270370
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 ガードリングを含む周辺領域の面積を縮小する。【解決手段】 基板に積層されてN型不純物が予め定める第1不純物濃度で添加された半導体層35のうちで、半導体素子を含む活性領域36を囲む領域W1に、N型不純物をさらに添加して、該領域W1の不純物濃度を第1不純物濃度よりも増加させる。次いで、領域W1内に含まれて活性領域を略同心円状に囲む略環状の複数の領域に、P形不純物を添加して予め定める第1深さまで拡散させる。これによって、P形不純物を含むガードリング39〜41と、ガードリング39〜41に隣接する添加層43〜45とが形成される。このガードリング39〜41間の間隔は従来のガードリングよりも狭く、ガードリングを含む周辺領域の面積が従来の周辺領域の面積よりも狭い。
請求項（抜粋）：
予め定める第1導電型の不純物が予め定める第1不純物濃度で添加された半導体材料から成る基板の表層の予め定める第1領域に、該第1導電型とは異なる第2導電型の不純物を予め定める第1深さまで拡散させる不純物の拡散方法において、前記第2導電型の不純物を拡散させる前に、前記基板の表層のうちで前記第1領域に隣接する第2領域を含む領域に、前記第1導電型の不純物を前記第1不純物濃度よりも高い第2不純物濃度でかつ前記第1深さよりも浅い第2深さまで添加し、次いで第2導電型の不純物を拡散させることを特徴とする不純物の拡散方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/225 M
, H01L 21/76 S
