特許

J-GLOBAL ID：200903076469796193

ゲート絶縁型半導体装置およびその製造方法

発明者： 進藤 裕之 ,  大濱 健一 ,  大辻 通也
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-118901
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308107
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【目的】 ソース領域下部のチャネル領域の抵抗値を低減するための高濃度拡散領域をソース領域およびチャネル領域と同じマスクによりセルフアラインで形成することにより、高エネルギー耐量のゲート絶縁型半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1であるドレイン領域にゲート酸化膜2、およびゲート電極として例えばポリシリコン3を堆積させマスキングにより部分的にポリシリコンをエッチしたのちに、ポリシリコン3をマスクとして部分的にチャネル領域4をイオン注入、および熱拡散により形成する工程と、ポリシリコン3をマスクとしチャネル領域4内に高濃度のイオン注入により高濃度イオン注入領域を形成する工程と、高濃度イオン注入領域を熱拡散により拡散させ高濃度拡散領域6を形成する工程と、ポリシリコン3を等方的に厚みの50%をエッチングする工程と、等方的にエッチングされたポリシリコン3をマスクとしポリシリコン3の開口部の一部をレジストでマスクした状態からイオン注入とアニールによりソース領域7を形成する工程とからなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の一導電型であるドレイン領域に形成された酸化膜とマスク材料を選択的に形成する工程と、反対導電型のチャネル領域をマスク材料により部分的に形成する工程と、反対導電型のチャネル領域内にチャネル領域より高濃度の反対導電型拡散領域を前記マスク材料をマスクとして形成する工程と、高濃度反対導電型の拡散領域形成後に前記マスク材料を前記高濃度反対導電型拡散領域の端部を越えるまで等方的にエッチングする工程と、前記マスク材料をエッチングした後にソース領域の形成に前記マスク材料をマスクとして形成する工程を含むことを特徴とするゲート絶縁型半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78 652

FI (4件)：

H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 658 B

Fターム (9件)：

4M104BB01 ,  4M104BB28 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD65 ,  4M104DD91 ,  4M104GG18 ,  4M104GG20 ,  4M104HH14