特許

J-GLOBAL ID：200903076470828945

CMP用研磨液及び研磨方法

発明者： 成田 武憲 ,  桜田 剛史
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-293368
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064285
出願日： 2003年08月14日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 被研磨面が複数の物質からなっていても平坦性が高い被研磨面が得られ、さらに研磨後の金属残渣や研磨キズを抑制できるCMP用研磨液、及びそれを用いて化学機械研磨する方法を提供する。【解決手段】 界面活性剤、酸化金属溶解剤及び水を含有し、界面活性剤がアルキルトリメチルアンモニウム型界面活性剤、アルキルジメチルベンジルアンモニウム型界面活性剤、アルキルアミドアミン型界面活性剤及びアルキルアミン型界面活性剤から選ばれる少なくとも1種であるCMP用研磨液であり、好ましくは、前記界面活性剤を0.0001〜0.1質量%含有するCMP用研磨液。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

界面活性剤、酸化金属溶解剤及び水を含有し、界面活性剤がアルキルトリメチルアンモニウム型界面活性剤、アルキルジメチルベンジルアンモニウム型界面活性剤、アルキルアミドアミン型界面活性剤及びアルキルアミン型界面活性剤から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とするCMP用研磨液。

IPC (5件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06

FI (6件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 101

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058DA02 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、および化学機械研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-003340   出願人：ジェイエスアール株式会社