特許
J-GLOBAL ID：200903076471530591

III族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法

発明者：
酒井 浩光

酒井 浩光 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-293570
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103774
出願日： 2005年10月06日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】本発明の目的は、R面サファイア基板上に高品質なA面III族窒化物半導体層を有するIII族窒化物半導体積層構造体を提供することである。【解決手段】R面サファイアからなる基板、該基板上に形成された窒化アルミニウムガリウムからなるバッファ層および該バッファ層上に形成されたA面III族窒化物半導体からなる下地層を含有し、該下地層表面のピット密度が1×1010cm-2以下であることを特徴とするIII族窒化物半導体積層構造体。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
R面サファイア(α-Al2O3)からなる基板、該基板上に形成された窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1-xN:0≦X≦1)からなるバッファ層および該バッファ層上に形成されたA面III族窒化物半導体(AlXGaYInZN1-aMa:0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1で且つ、X+Y+Z=1。記号Mは窒素(N)とは別の第V族元素を表し、0≦a<1である。)からなる下地層を含有し、該下地層表面のピット密度が1×1010cm-2以下であることを特徴とするIII族窒化物半導体積層構造体。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  C30B 29/38 ,  C23C 16/34
FI (5件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  C30B29/38 D ,  C23C16/34
Fターム (70件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041DA16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EE12 ,  5F045EK27 ,  5F173AG11 ,  5F173AG21 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP24 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR82
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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