特許
J-GLOBAL ID:200903076471679331

セラミツク回路基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松本 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-186668
公開番号(公開出願番号):特開平5-024959
出願日: 1991年07月25日
公開日(公表日): 1993年02月02日
要約:
【要約】【目的】 高周波特性を損なうことなく金属膜の密着力を向上させられるセラミック回路基板の製造方法を提供する。【構成】 イオンビームエッチング処理により結晶粒表面に超微細な凹凸が形成されているセラミック表面に、金属膜を蒸着により形成するようにするセラミック回路基板の製造方法。
請求項(抜粋):
イオンビームエッチング処理により結晶粒表面に超微細な凹凸が形成されているセラミック表面に、金属膜を蒸着により形成するようにするセラミック回路基板の製造方法。
IPC (3件):
C04B 41/88 ,  C04B 41/91 ,  H01L 23/15
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平4-046084
  • 特開平2-164784
  • 特開平1-252504
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