特許
J-GLOBAL ID：200903076481620084
半導体圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-161870
公開番号（公開出願番号）：特開平5-010839
出願日： 1991年07月02日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：
【要約】【目的】 簡単な構成で広い測定レンジを有し小形化が可能な半導体圧力センサを提供する。【構成】 Si基板に形成されたダイアフラムに歪み検出素子が設けられ,前記ダイアフラムに印加される流体の圧力を前記歪み検出素子で検出する様にした半導体圧力センサにおいて,前記Si基板上に感圧度の異なる複数のダイアフラムを形成するとともに各ダイアフラムに歪み検出素子を設ける。
請求項（抜粋）：
Si基板に形成されたダイアフラムに歪み検出素子が設けられ,前記ダイアフラムに印加される流体の圧力を前記歪み検出素子で検出する様にした半導体圧力センサにおいて,前記Si基板上に膜厚が同一で面積の異なる複数のダイアフラムを形成するとともに各ダイアフラムに歪み検出素子を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, G01L 7/08
