特許
J-GLOBAL ID：200903076488550790
薄膜配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017129
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218020
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 絶縁性又は半導体性基板上に、無電解メッキ法で配線を形成する場合に、サイドエッチングによる配線細り及び配線形成部以外のメッキの形成を防止すると共に、膜の密着性の向上を図る。【構成】 フォトレジスト8を塗布し、必要とする配線領域11を転写する工程と、このレジストパターンをマスクとして無電解メッキの触媒又は付活剤の物質をイオン注入する工程と、フォトレジストを除去した後、スパッタエッチングにより残存する触媒12を除去し、配線形成領域にのみ触媒イオン注入層10を残した後、無電解メッキを行い、無電解メッキ層13による配線を形成する工程とを有する。メッキ後にエッチングを行わないため、サイドエッチングの影響を受けず、配線パターン部以外に触媒が付着しないので、不要なメッキ層の成長を防ぐと共に、触媒イオン注入層10を基板表面内に埋め込んでいるため、膜の密着性も向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板又は絶縁性基板上への配線の形成方法において、フォトレジストを塗布し所要の配線パターンを転写する工程と、この配線パターンをマスクとして無電解メッキの触媒又は付活剤となる物質をイオン注入する工程と、前記フォトレジストを除去した後スパッタエッチングする工程と、無電解メッキを行う工程とを有することを特徴とする薄膜配線の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/288
, H01L 21/302
