特許

J-GLOBAL ID：200903076490281527

複数の接合部を有する安定した磁気トンネル・デバイス

発明者： デーヴィッド・ウィリアム・エイブラハム ,  ウィリアム・ジョーゼフ・ガラガー ,  フィリップ・ルイ・トルユー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026291
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317071
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 平均状態になるように同時に書込み可能な複数の磁気トンネル接合をその中に有する磁気メモリ・デバイスの提供。【解決手段】 アレイを横切る複数の交差領域を形成するそれぞれ複数の第1および第2の交差導電線を有する、磁気ランダム・アクセス・メモリアレイを開示する。これは、夫々が複数の交差領域の1つに配置された複数の磁気メモリ・セルを含む。各セルは、夫々の第1および第2の導線によりそれに印加の電気磁気的な刺激に応じて、平均状態になるように同時に書込み可能な、2以上の磁気トンネル接合を包含する。各磁気メモリ・セル内に設定の2以上の磁気トンネル接合は、アレイを横切るすべてのセルに予測可能な磁気応答を供給する。選択領域を形成の第1および第2の導電線の夫々からにより印加の刺激で選択される交差領域にあるセルのみが書き込まれる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの電極を使用して動作可能であり、前記少なくとも1つの電極によりそれに印加された磁気刺激に応じて、平均状態になるように同時に書込み可能な、少なくとも2つの磁気トンネル接合を含む、磁気デバイス。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-065640   出願人：株式会社東芝
• 磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058777   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開平2-226597