特許

J-GLOBAL ID：200903076491232163

レベル変換回路

発明者： 松本 昭一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-042313
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320268
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 製造工程でのばらつきによりトランジスタのしきい値電圧が設計値からずれた場合でも確実に動作することができるとともに高速動作、低消費電力化および小面積化が可能なレベル変換回路を提供することである。【解決手段】 制御部10の制御回路100は入力信号CLK1,CLK2に応答してドライバ部20のpチャネルMOSFET201のゲート電位を電源電位VDDからpチャネルMOSFET101のしきい値電圧Vtp分以上低下したレベルに設定し、nチャネルMOSFET202のゲート電位を入力信号CLK1のローレベルからnチャネルMOSFET102のしきい値電圧Vtn分以上上昇したレベルに設定することにより、pチャネルMOSFET201およびnチャネルMOSFET202のうち一方を強くオンさせかつ他方を弱くオンさせる。

請求項（抜粋）：

第1の電位を受ける第1のノードと出力ノードとの間に接続された第1のトランジスタと、前記第1の電位と異なる第2の電位を受ける第2のノードと前記出力ノードとの間に接続された第2のトランジスタと、第1の入力信号を受け、前記第1および第2のトランジスタの両方をオン状態にするとともに前記第1の入力信号のレベルに応じて前記第1および第2のトランジスタのオン状態の程度をそれぞれ制御する制御手段とを備えたことを特徴とするレベル変換回路。

IPC (4件)：

H03K 19/0185 ,  G09G 3/20 612 ,  G09G 3/30 ,  G09G 3/36

FI (4件)：

G09G 3/20 612 D ,  G09G 3/30 J ,  G09G 3/36 ,  H03K 19/00 101 D