層間絶縁膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288006
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177120
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】ボイドの発生がなく、Naのゲッタリング効果を有する平坦な層間絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】断差を有する基体上に常圧のO3/TEOS-CVDによりノンドープSiO2膜13を形成し、このノンドープSiO2膜13にドーピングガス(PH3)を流して吸着させる工程を複数回繰り返し、次に、N2雰囲気中で熱処理を行なう。これにより、平坦でドーパントが均一に拡散した層間絶縁膜が得られる。

請求項（抜粋）：

有機金属化合物を用いてノンドープSiO2膜を形成する工程と、ドーパントを該ノンドープSiO2膜に吸着させる工程と、を複数回繰り返すことを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

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