半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175126
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021390
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【構成】半導体装置の容量部の製造方法として、下部電極用のシリコン3を非晶質状態で成長したのち、この非晶質シリコン膜3の表面近傍に損傷を発生させる。次で熱処理して多結晶シリコン膜にして下部電極とする。【効果】非晶質シリコン膜表面にイオン注入やプラズマ処理等で損傷を発生させ、この損傷を核にしてシリコンの結晶を熱処理で成長させることにより、多結晶シリコン膜の表面積を大きくすることができる。このため、従来の多結晶シリコン成長時に表面積を大きくする方法に比較して、温度制御等が簡単で大量生産が容易にできるという効果がある。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に容量部の下部電極形成用の非晶質シリコン膜を形成する工程と、この非晶質シリコン膜の表面近傍に損傷を発生させる工程と、損傷を発生させた前記非晶質シリコン膜を加熱し多結晶シリコン膜とする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/265 , H01L 21/28 301 , H01L 27/04

FI (3件)：

H01L 27/10 325 J , H01L 21/265 P , H01L 21/265 W

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-008367
特開平3-008367
特開平4-101454

全件表示

前のページに戻る