特許

J-GLOBAL ID：200903076494798621

Bi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体膜の製造方法

発明者： 渡部 浩司 ,  磯辺 千春
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003445
公開番号（公開出願番号）：特開平10-194894
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：

【要約】【課題】 c軸配向性のBi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体膜を選択的に形成することができる方法の提供が望まれている。【解決手段】 化学式BiX (Sr,Ca,Ba)Y (Ta,Nb)2 OZ 〔ただし、1.70≦X ≦2.50,0.6≦Y ≦1.20,Z =9.0±1.0〕で表される物質を主たる結晶相とする、Bi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体膜を製造するに際し、Bi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体膜の前駆体として、その結晶化アニール前の膜組成が0.9≦Y ≦1.2である膜を形成し、その後、この膜に結晶化アニール処理を施してBi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体膜を得る。

請求項（抜粋）：

化学式BiX (Sr,Ca,Ba)Y (Ta,Nb)2 OZ〔ただし、1.70≦X ≦2.50,0.6≦Y ≦1.20,Z =9.0±1.0〕で表される物質を主たる結晶相とする、Bi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体膜を製造するに際し、前記Bi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体膜の前駆体として、その結晶化アニール前の膜組成が0.9≦Y ≦1.2である膜を形成し、その後、この膜に結晶化アニール処理を施してBi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体膜を得ることを特徴とするBi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体膜の製造方法。

IPC (7件)：

C30B 29/30 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

C30B 29/30 C ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371