特許

J-GLOBAL ID：200903076501191363

層間絶縁膜の形成方法

発明者： 黒田 英明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-044666
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236972
出願日： 1993年02月09日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 平滑な層間絶縁膜を形成すると共に、その後の高温熱処理によるボイドの破裂を防止して歩留りを高める。【構成】 タングステンポリサイド膜51でビット線を形成した後、SiO2 膜52を堆積させ、更に多結晶Si膜75を減圧CVD法で堆積させる。そして、多結晶Si膜75を等方的にエッチバックして凹部55を多結晶Si膜75で埋め、この状態でBPSG膜56を堆積させる。減圧CVD法で形成した多結晶Si膜75は段差被覆性が良いので、ボイドの発生を防止することができる。また、エッチバックに際して、SiO2 膜52がストッパになる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に配線を形成する工程と、前記配線を形成した後に、第1の絶縁膜を全面に形成する工程と、前記第1の絶縁膜とはエッチング特性が異なる半導体膜を減圧CVD法で前記第1の絶縁膜上に形成する工程と、前記半導体膜を等方的にエッチバックして、前記配線上の凹部をこの半導体膜で埋める工程と、前記エッチバックの後に、第2の絶縁膜を全面に形成する工程とを含むことを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/90