特許

J-GLOBAL ID：200903076506833630

低損失の一体式受動導波路を備えた、独立してアドレス可能な半導体レーザ

発明者： トーマス・エル・パオリ
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (1件)： 小堀 益 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309273
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216365
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 モノリシック半導体構造内において、独立してアドレス可能な半導体ダイオード・レーザの密度を高める。【構成】 モノリシック半導体構造40内において、受動光導波路58が、光波を発生する横方向にオフセットした発生導波路56をミラー52に結合する。受動光導波路58は、またレーザ共振空胴内における光の強度を測定するための検出領域、及び、発生導波路56によって発生する光波の波長を同調するための可調整吸光領域も結合する。【効果】 レーザ共振空胴内における機能装置の電気的に受動的な相互接続によって、基本装置を横方向にオフセットさせることが可能になる。横方向のオフセット及び受動的な光学相互接続によって、電気的クロスオーバの領域が拡大し、この結果、各チップにおける独立してアドレス可能な装置の接点が大幅に単純化され、その密度及び数が増すことになる。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の半導体へテロ構造層が配置され、前記層の少なくとも1つが、光を発生し、伝搬するための活性層をなす、モノリシック半導体構造と、前記活性層の選択領域に異なる電気的バイアスをかけるため電気的に結合された手段と、前記複数の半導体へテロ構造層及び前記活性層に対し垂直で、少なくとも一方のレーザ・ミラーからの光出力に関してレーザ共振空胴を形成する、前記モノリシック半導体構造の両端に配置された第1と第2のレーザ・ミラーと、活性層に配置され、それぞれ、前記電気的順バイアスに応答して、所定の波長の光波を発生し、増幅するための所定の幅を備えた、複数のほぼ平行な発生導波路と、活性層に配置され、それぞれ、対応する発生導波路と同軸をなすように配向が施されて、前記レーザ共振空胴内における光の強度を検出する、複数のほぼ平行な検出領域と、前記活性層に配置され、それぞれ、対応する発生導波路及び対応する検出領域と同軸をなすように配向が施され、前記第1のレーザ・ミラー、前記対応する発生導波路、前記対応する検出領域、及び、前記第2のレーザ・ミラーに対し同一の長さで結合され、前記対応する発生導波路において発生し、増幅された光波をガイドするための、複数のほぼ平行な、低損失の受動導波路から構成される、半導体レーザ・アレイ。

IPC (7件)：

H01L 27/15 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  G02B 26/10 ,  H01S 3/18 ,  H01S 3/25

FI (2件)：

B41J 3/21 L ,  H01S 3/23 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-232987
  
• 特開昭61-152088
  
• 特開昭63-124591
  
• 特開昭58-123788