特許

J-GLOBAL ID：200903076510606282

半導体装置の製造方法

発明者： 宮本 忠芳 ,  渋谷 司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067775
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260284
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 均一な結晶性を有する半導体膜を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板1にベースコート膜2及び非晶質シリコン膜3を堆積させ、非晶質シリコン膜3を島状にパターニングし、薄膜トランジスタを形成する領域以外の非晶質シリコン膜3を除去する。そして、非晶質シリコン膜3上から反射防止膜4を堆積させ、島状の非晶質シリコン膜3の周縁部上に反射防止膜4を選択的に設ける。そして、絶縁性基板1全面にレーザー光5を照射し、結晶性シリコン膜6を得る。その後、反射防止膜4を除去し、結晶性シリコン膜6上にゲート絶縁膜7を堆積させ、ゲート電極8を形成して不純物注入を行う。さらに、絶縁膜9を形成し、エッチングによって開口部を設け、ソース電極10及びドレイン電極11を形成し、薄膜トランジスタを得る。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板または絶縁膜で表面を覆った基板上に、島状にパターン形成された非晶質半導体膜にエネルギー線を照射し、前記非晶質半導体膜を熔融結晶化させる半導体装置の製造方法において、前記非晶質半導体膜の周縁部に反射防止膜を堆積させた後、前記エネルギー線を照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G