半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-215643
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097713
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】耐熱性の劣る基板上に良好な特性を示す絶縁ゲイト型(MIS型)シリコン半導体装置を作製する方法に関して、特にゲイト絶縁膜およびその作製方法を提供する。【解決手段】酸素等の酸化雰囲気中にシリコン半導体表面をさらし、これを400〜700°C、好ましくは500〜600°Cに加熱するか、もしくは数10秒〜数分間、強光を照射することによって、表面にごく薄い酸化膜を形成し、しかる後にプラズマCVD法等の公知の成膜手段によって絶縁被膜を成膜し、所望の厚さのゲイト絶縁膜とする。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に、非晶質珪素膜を結晶化した結晶性珪素膜でなる島状の活性層を形成する第1の工程と、酸化性雰囲気中でアニールすることによって前記活性層表面を酸化して、酸化膜を形成する第2の工程と、前記酸化膜上に、化学的気相反応手段もしくは物理的気相反応手段によって絶縁被膜を形成する第3の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G , H01L 21/316 S , H01L 21/318 M , H01L 29/78 617 V

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-022127
特開昭57-194518
特開平2-140915

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