特許
J-GLOBAL ID：200903076522351948
超伝導量子干渉素子の磁束トラップ除去装置およびその方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
津川 友士
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215061
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078738
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 極低温雰囲気中への外部熱侵入の増加を防止し、しかも磁束トラップの除去を確実化する。【構成】 SQUID素子を収容する極低温ケーシング1の内部において、臨界電流よりも大きい電流が供給されることにより常伝導状態になり、SQUID素子の少なくとも一部を加熱する超伝導状態破壊用ジョセフソン接合6をフィードバックコイル5と並列接続する。
請求項（抜粋）：
ジョセフソン接合(3)を有する超伝導ループ(2)、超伝導ループ(2)に磁束を導くインプットコイル(4)およびインプットコイル(4)により超伝導ループ(2)に導かれる磁束の変化を補償すべく補償用磁束を超伝導ループ(2)に導くフィードバックコイル(5)を含む超伝導量子干渉素子が、内部温度が超伝導転移温度以下に冷却された極低温ケーシング(1)内に収容されてあり、臨界電流よりも大きな電流が流されることにより常伝導状態に転移して抵抗として機能し、超伝導量子干渉素子を加熱して常伝導状態に転移させるジョセフソン接合(6)が極低温ケーシング(1)内においてフィードバックコイル(5)と直列接続されてあり、上記ジョセフソン接合(6)およびフィードバックコイル(5)に上記臨界電流よりも大きな電流を供給する状態と上記磁束の変化を補償するための電流を供給する状態とを選択する制御手段(9)(10)が設けられてあることを特徴とする超伝導量子干渉素子の磁束トラップ除去装置。
IPC (3件)：
H01L 39/04 ZAA
, G01R 33/035 ZAA
, H01L 39/22 ZAA
