特許
J-GLOBAL ID:200903076524636524

光増幅機能素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷 義一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-230510
公開番号(公開出願番号):特開平7-084291
出願日: 1993年09月16日
公開日(公表日): 1995年03月31日
要約:
【要約】【目的】 光導波路としてエネルギー障壁の高いバリア層を用いた多重量子井戸構造で、かつ層厚の厚いものを利用しつつ光増幅の効率を上げるため、光増幅器への電流注入を容易にし、かつ自然放出光の雑音が小さく、活性層を伝搬する信号のシングルモード性を保ちながら製作が容易で歩留りのよい光増幅機能素子およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板102上に形成された少なくとも光導波層104を有する光導波路と、該光導波路上に装荷された少なくとも活性層105と該活性層105に電流を注入するための電極108とを有する光増幅器とを具備する光増幅機能素子において、前記光導波層104の、前記光増幅器が装荷された部分の層厚を、装荷されていない部分の層厚に比べて薄くする。
請求項(抜粋):
半導体基板上に形成された少なくとも光導波層を有する光導波路と、該光導波路上に装荷された少なくとも活性層と該活性層に電流を注入するための電極とを有する光増幅器とを具備する光増幅機能素子において、前記光導波層は、前記光増幅器が装荷された部分の層厚が、装荷されていない部分の層厚に比べて薄いことを特徴とする光増幅機能素子。
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平2-042784
  • 特開平4-196282
  • 特開平1-253290
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