特許

J-GLOBAL ID：200903076534788357

半導体圧力センサ

発明者： 安池 則之
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-293051
公開番号（公開出願番号）：特開2001-116638
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 使用可能な周囲温度範囲が広い半導体圧力センサを提供すること。【解決手段】 薄肉凹状のダイヤフラム17を有する半導体基板1に、ダイヤフラム17のたわみ量により圧力変化を検出し電気信号に変換するピエゾ抵抗2と前記ピエゾ抵抗2からの電気信号を受ける信号処理回路3を設け、圧力導入口21を有する圧力導入管6を、凹状の内空間と圧力導入口21が連通するように半導体基板1に接合してなる半導体圧力センサにおいて、前記台座を、熱伝導に優れる金属材料としている。

請求項（抜粋）：

薄肉凹状のダイヤフラムを有する半導体基板に、ダイヤフラムのたわみ量により圧力変化を検出し電気信号に変換するピエゾ抵抗と前記ピエゾ抵抗からの電気信号を受ける信号処理回路を設け、圧力導入口を有する圧力導入管を、凹状の内空間と圧力導入口が連通するように半導体基板に接合してなる半導体圧力センサにおいて、前記台座を、熱伝導に優れる金属材料としたことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B

Fターム (20件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD04 ,  2F055EE13 ,  2F055FF01 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  2F055GG14 ,  2F055HH05 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA12 ,  4M112CA15 ,  4M112CA16 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112FA05