特許
J-GLOBAL ID:200903076536422643

ポジ型フォトレジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小栗 昌平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-385724
公開番号(公開出願番号):特開2001-272784
出願日: 2000年12月19日
公開日(公表日): 2001年10月05日
要約:
【要約】【課題】 半導体デバイスの製造において、経時での感度変動が少なく、また、疎密依存性が改善されたポジ型フォトレジスト組成物、コンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、また、レジスト液中のパーティクルの発生が少ないポジ型フォトレジスト組成物、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、また、保存安定性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】特定の樹脂と、特定の添加剤及び界面活性剤、特定のオニウム系光酸発生剤、又は特定の溶剤を組み合わせたポジ型フォトレジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)下記一般式(I)で表される部分構造を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(C)有機塩基性化合物、並びに(D)フッ素系界面活性剤及び/又はシリコン系界面活性剤、及びノニオン系界面活性剤のうちの少なくとも1種、を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】式(I)中、mは1から6の整数を表す。R1及びR2はそれぞれアルキル基もしくは環状アルキル基を表し、又はR1とR2が互いに結合して環状アルキル基を形成してもよい。R3及びR4はそれぞれ水素原子、アルキル基もしくは環状アルキル基を表し、又はR3とR4が互いに結合して環状アルキル基を形成してもよい。R5〜R7はそれぞれアルキル基、環状アルキル基、アリール基、トリアルキルシリル基又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。
IPC (8件):
G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08L101/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 504 ,  G03F 7/075 521 ,  H01L 21/027
FI (8件):
G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08L101/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/004 504 ,  G03F 7/075 521 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (53件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AA11 ,  2H025AB08 ,  2H025AB14 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BG071 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002CE001 ,  4J002CH022 ,  4J002CH05 ,  4J002EB016 ,  4J002ED028 ,  4J002ED038 ,  4J002EH057 ,  4J002EH158 ,  4J002EN029 ,  4J002ER009 ,  4J002EV216 ,  4J002EV246 ,  4J002EV266 ,  4J002EV286 ,  4J002EV296 ,  4J002FD146 ,  4J002FD208 ,  4J002FD209 ,  4J002FD312 ,  4J002FD317 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  4J002HA08

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