特許
J-GLOBAL ID：200903076537915139
半導体発光素子及び半導体発光素子アレイ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292716
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131070
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 低い素子抵抗と高い光出力とを実現する半導体発光素子及び半導体発光素子アレイを提供する。【構成】 基板2上にバッファ層3、反射層4、クラッド層5、発光層6、クラッド層7、コンタクト層8が順次積層されており、分離溝10により複数の発光素子9に分離されている。夫々の発光素子9上面の光出力面12全面とその周辺部分とを覆って、オーミック接合特性を示す非常に薄く透明なAg膜13aと、更にこれを保護して出力される光のピーク波長近傍に最大透過率を持つようなCd2 SnO4 膜13bとによって電極膜13が形成され、光出力面12を遮蔽することなく電極膜13に接して配線用の電極14が形成されている。電極14と半導体結晶層とは保護膜のSiO2 膜11で絶縁されている。
請求項（抜粋）：
基板上に、発光層を含む半導体結晶層を積層して、前記発光層からの光を前記半導体結晶層上面の光出力面から出力する面発光型の半導体発光素子において、オーミック接合特性を示す金属の透明導電膜と、出力される光のピーク波長近傍に最大透過率を持つような透明導電膜とからなる電極膜を前記光出力面に形成し、前記電極膜に金属配線を接続したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
