特許

J-GLOBAL ID：200903076539192118

半導体装置

発明者： 山田 浩 ,  舘山 和樹 ,  栂嵜 隆 ,  本間 荘一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-064289
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261642
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 回路配線基板上に半導体チップがフリップチップ実装される半導体装置においてバンプ電極とバリアメタル層の接続信頼性を向上させる。【解決手段】 バンプ電極のバリアメタル層となる第1金属層の周縁部における含有酸素濃度をその内側における酸素濃度に比較して高くする。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、該半導体チップ上に設けられたボンディングパッドと、及び該ボンディングパッド上に形成され、少なくともその周縁領域にその内側の領域よりも高濃度の酸素が含まれる第1の金属層、及び該第1の金属層上に突出形成された第2の金属層からなるバンプ電極とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/92 604 Q