特許

J-GLOBAL ID：200903076542052394

集積型半導体レーザ装置

発明者： 小久保 ▲吉▼裕
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-069698
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226777
出願日： 1992年02月17日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 ジャンクションアップ組立により得られる集積型半導体レーザ装置をの集積度を高め、装置を小型化する。【構成】 各レーザ素子毎に形成されるワイヤボンディングパッド40の形成位置を、隣接するレーザ素子間でレーザ光の出射方向において上下にずらすとともに、隣接するレーザ素子間を電気的に分離するためのメサ溝60を該ワイヤボンディングパッド40の大径部をよける形状に形成する。

請求項（抜粋）：

多数のレーザ素子を集積してなる半導体アレイレーザチップの各レーザ素子毎に、ワイヤをそれぞれ圧着するための複数のワイヤボンディングパッドを有する集積型半導体レーザ装置において、上記複数のワイヤボンディングパッドは、隣接するレーザ素子間ではレーザ光の出射方向において上下にずれた位置に形成され、上記隣接する複数のワイヤボンディングパッド間には、該パッドの大径部をよける形状にて隣接する素子間を電気的に分離するための複数のメサ溝が設けられていることを特徴とする集積型半導体レーザ装置。