特許

J-GLOBAL ID：200903076545860890

面発光半導体レーザ

発明者： 杉本 満則
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-329099
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029611
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】この発明の目的は、微分量子効率の低下を伴うことなく電気抵抗を低減したDBR反射膜ベースの面発光半導体レーザを提供することにある。【構成】n型GaAsとn型AlAsとを交互に積層して形成したn型多層干渉反射膜と、p型GaAsとp型AlAsとを交互に積層して形成したp型多層干渉反射膜とにより活性領域を挟んだ構造をもち、n型多層干渉反射膜のn型AlAs on n型GaAsヘテロ接合部およびp型多層干渉反射膜のp型GaAs on p型AlAsのヘテロ接合部の少くとも一方に高濃度ドープ領域を形成する。

請求項（抜粋）：

一つの導電型を与える第1の不純物を含むIII-V 族半導体結晶の基板と、この基板の表面にエピタキシャル成長によりヘテロ接合の積み重ねを構成するように形成され前記第1の不純物を有する多層のIII-V 族半導体膜から成る下側多層干渉反射膜と、この下側多層干渉反射膜の表面にエピタキシャル成長により形成され予め定めた波長のレーザ光を生ずる活性領域と、この活性領域の表面にエピタキシャル成長により前記ヘテロ接合の積み重ねを構成するように形成され前記導電型と反対の導電型を与える第2の不純物を有する多層のIII-V 族半導体膜から成る上側多層干渉反射膜と、この上側多層干渉反射膜と電気的に接続された電極膜とを含み、前記電極膜と前記基板との間に印加された直流電圧に応答して前記基板の前記下側多層干渉反射膜と反対側の面または前記上記多層干渉反射膜の上面から前記レーザ光を出力として生ずる面発光半導体レーザにおいて、前記下側および上側多層干渉反射膜のいずれか一方の前記ヘテロ接合のうちこれら多層干渉反射膜から成る光共振器の内部に生ずる前記レーザ光の定在波の電界強度が最小になる点に位置するヘテロ接合の近傍において前記第1および第2の不純物いずれか一方の濃度を前記一方の多層干渉反射膜において選択的に高めたことを特徴とする面発光半導体レーザ。