特許
J-GLOBAL ID:200903076546980725

アクティブマトリクスパネル及びアクティブマトリクスパネル用駆動回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-025685
公開番号(公開出願番号):特開平9-329810
出願日: 1988年05月17日
公開日(公表日): 1997年12月22日
要約:
【要約】【課題】ポリシリコン薄膜トランジスタにより高性能なドライバー回路部を提供する。【解決手段】ドライバー回路部はシフトレジスタとサンプルホールド回路を含み、シフトレジスタは、第1導電型と第2導電型の相補型のシリコン薄膜トランジスタからなり、サンプルホールド回路は第1導電型のシリコン薄膜トランジスタからなり、サンプルホールド回路の第1導電型のシリコン薄膜トランジスタのゲート長を、シフトレジスタの第1導電型のシリコン薄膜トランジスタのゲート長より短くすることを特徴とする。
請求項(抜粋):
複数のゲー卜線、複数のソース線及び薄膜卜ランジス夕を備えた画素マ卜リクスが形成された第一の透明基板と該第一の透明基板に対向配置された第二の透明基板と該第一及び第二の透明基板間に介設された液晶より成るアクティブマ卜りクスパネルにおいて、該第一の透明基板上に、シリコン薄膜による相補型薄膜卜ランジスタより成るゲー卜線ドライバ一回路及びシリコン薄膜による相補型薄膜卜ランジスタより成るソース線ドライバー回路の少なくとも一方を具備し、前記画素マ卜リクスを構成する薄膜卜ランジスタは、前記ゲー卜線ドライバー回路乃至ソース線ドライバー回路を構成するP型薄膜トランジスタ及びN型薄膜卜ランジスタのうちの一方と同一の断面構造を有することを特徴とするアクティブマ卜リクスパネル。
IPC (5件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 505 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/30 343 ,  H01L 29/786
FI (5件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 505 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/30 343 E ,  H01L 29/78 612 B

前のページに戻る