特許

J-GLOBAL ID：200903076550956537

酸化物セラミックスへの被覆層の形成方法

発明者： 竹原 善一郎 ,  小久見 善八 ,  内本 喜晴 ,  竹内 伸二 ,  野条 貴司 ,  小川 貴則
出願人/特許権者： 関西電力株式会社
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067125
公開番号（公開出願番号）：特開平5-270955
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】電極材料粒子が微細であり、電極粒子同士が互いに接触し、その表面が固体電解質であるセラミックス材料により効果的に被覆されたサーメット電極を提供すること。【構成】電極材料となる金属と固体電解質材料となる第1の酸化物セラミックスとの混合物からなるサーメット電極を製造するに際し、第1の酸化物セラミックスとは異なる第2の酸化物セラミックスを形成し得る元素を含むガスと該混合物とを接触させ、第1の酸化物セラミックスのイオンまたは第1の金属酸化物セラミックスから解離した酸素を金属表面の酸化被膜を通して輸送し、酸化被膜上で上記酸化物セラミックスイオンまたは酸素と上記ガスとを反応させて、金属上に第2の酸化物セラミックス被覆層を形成させることを特徴とするサーメット電極の製造方法。

請求項（抜粋）：

第1の酸化物セラミックスとこれとは異なる第2の酸化物セラミックスを形成し得る元素を含むガスとを接触させて、第1の酸化物セラミックスまたはこれと該ガスとの反応生成物上に第2の酸化物セラミックス層を形成させることを特徴とする酸化物セラミックスへの被覆層の形成方法。

IPC (8件)：

C04B 41/87 ,  B22F 1/02 ,  B22F 5/00 ,  C22C 1/05 ,  C23C 8/10 ,  H01M 4/88 ,  H01M 4/90 ,  H01M 8/12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-290242