特許

J-GLOBAL ID：200903076555196808

ハイブリッドIC半導体装置

発明者： 関根 敏孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241985
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082848
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、真空注型法による樹脂封止をする際に、注型剤がゲル状樹脂内に入り込むのを防ぐことにより、装置の信頼性を向上させ、さらに、コストアップ及び装置サイズの拡大を抑えることができるハイブリッドIC半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】 この発明は、第2の樹脂21を第1の樹脂7上に充填することで、真空注型する際に、注型剤が装置内部に入り込むことを防ぎ、また、金属ケース5に第2の樹脂21を固定する手段を有することで、真空注型する際に第2の樹脂21が第1の樹脂7内の気泡による圧力で押し出されることを防ぐように構成されている。

請求項（抜粋）：

回路を構成する電子部品等を半田付けした回路基板と、前記回路基板を固定する金属ケースと、前記電子部品等を保護するために前記金属ケース内に充填される第1の樹脂を有するハイブリッドIC半導体装置において、前記第1の樹脂上に充填される第2の樹脂と、前記金属ケースに設けられ、前記第2の樹脂を固定する手段を有することを特徴とするハイブリッドIC半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 25/16

FI (3件)：

H01L 23/28 K ,  H01L 25/16 A ,  H01L 23/30 B