窒化物半導体の製造方法および半導体ウェハならびに半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川澄茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-203676
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047764
出願日： 2002年07月12日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】基板上に形成する窒化物半導体の転位密度を飛躍的に低減することを可能にする。【解決手段】単結晶の絶縁性基板1上に、Si濃度が4×1019cm-3以上である高濃度SiドープGaNバッファ層2をエピタキシャル成長し、このSiドープGaNバッファ層2上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層3を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上へ窒化物半導体層を形成するに当たり、基板上に、Si濃度が4×1019cm-3以上であるSiドープGaNバッファ層をエピタキシャル成長し、このSiドープGaNバッファ層上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。

IPC (8件)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/201 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/00 , H01S5/323

FI (6件)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/201 , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , H01L29/80 H

Fターム (46件)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD14 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA02 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F052DB06 , 5F052KA01 , 5F052KA05 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073EA29 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-034133 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-112909 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-000072 出願人：シャープ株式会社

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