特許

J-GLOBAL ID：200903076560669153

半導体装置及びその製造方法

発明者： 太田 敬文
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 柳瀬 睦肇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078080
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282614
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 チップ保護材を形成してもアンダーバンプメタル膜の膜質の劣化を防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜11上にAl合金パッド12を形成する工程と、このパッド上にパッシベーション膜13を形成する工程と、パッシベーション膜に、Al合金パッド上に位置する開口部を形成する工程と、開口部内及びパッシベーション膜上にアンダーバンプメタル膜14を形成する工程と、アンダーバンプメタル膜上に金バンプ19を形成する工程と、金バンプ19及びパッシベーション膜の上にチップ保護膜としてのポリイミド膜18を形成する工程と、金バンプ上に存在するポリイミド膜をプラズマ処理により除去することにより、金バンプの相互間のパッシベーション膜上にポリイミド膜18を残す工程と、を具備するものである。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に形成されたパッドと、このパッド上に形成されたパッシベーション膜と、このパッシベーション膜に形成された、パッド上に位置する開口部と、この開口部内に形成されたアンダーバンプメタル膜と、このアンダーバンプメタル膜上に形成されたバンプと、このバンプの相互間のパッシベーション膜上に形成されたチップ保護膜と、を具備し、上記バンプの上部はチップ保護膜から突出していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 603 G

Fターム (3件)：

5F044NN02 ,  5F044RR17 ,  5F044RR18