特許

J-GLOBAL ID：200903076562341864

半導体装置

発明者： 阪田 健 ,  伊藤 清男 ,  堀口 真志 ,  青木 正和
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-195845
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057461
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 外部単一電源で動作し電圧マージンが広い高集積DRAMを提供する。【構成】 メモリアレーMCA内のデータ線Dt,Dbの高レベルVDH,低レベルVDLを、それぞれ昇圧回路GVWH,GVWLより昇圧したVWH,VWLでワードドライバWDを動作させ、ワード線Wの電圧振幅はVWLからVWHとする。【効果】 メモリセルMC内のMOSトランジスタのサブスレッショルド電流が増加することなくしきい値電圧を小さくできる。その結果、従来と同じ耐圧のMOSトランジスタを用いて、より広い電圧マージンが得られる。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタと電荷蓄積手段を含んで構成された電荷蓄積素子を具備し、上記電荷蓄積素子の駆動電極が該MOSトランジスタのゲートに接続され、上記電荷蓄積素子に信号を与える入力端子が該MOSトランジスタのソース・ドレイン経路を介して該電荷蓄積手段に接続される半導体装置において、上記MOSトランジスタを非導通とする該駆動電極の電圧は、通常の動作時に該入力端子がとりうるいかなる電圧とも実質的に異なる値に設定され、上記MOSトランジスタを非導通とする該駆動電極の電圧と、通常の動作時に該入力端子がとりうる電圧の範囲内で上記MOSトランジスタを非導通とする該駆動電極の電圧に最も近い電圧との、少なくとも一方が該半導体装置の内部で発生されることを特徴とする半導体装置。