特許
J-GLOBAL ID：200903076563782198
単一多結晶シリコンCMOS能動画素
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-326269
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227942
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【課題】単一多結晶シリコン能動画素の方法と装置について開示する。【解決手段】単一多結晶シリコン能動画素は電荷キャリアを生成し格納するため基板に配置されたフォトサイト、フォトサイトと半導体基板のフォトニックエネルギー入射から生成される電荷キャリア、フォトゲート、伝送トランジスタ及びアウトプットとリセットエレクトロニクスを有する。伝送トランジスタのゲートとフォトゲートは半導体基板に蒸着された多結晶シリコンの単一層に形成される。伝送トランジスタのソースは基板のドープされた領域であり、カップリング拡散はフォトゲートと伝送トランジスタ間の電気的結合を提供する。カップリング拡散は処理のためフォトゲートの下のフォトサイトに格納された信号がアウトプットエレクトロニクスに伝送される。
請求項（抜粋）：
電荷キャリアが入射フォトエネルギーから発生する半導体基板と、前記半導体基板に堆積された単一多結晶シリコン層に形成されたフォトゲート及び伝送トランジスタゲートと、ゲート、第1拡散領域、第2拡散領域を有する伝送トランジスタと、前記第2拡散領域に電気的に接続され、信号を第2拡散領域から受け、信号を処理用電子部品に導く出力手段と、前記第2拡散領域を前記第2ポテンシャルにリセットするリセット手段とを具備し、前記フォトゲートは、第1状態と第2状態を有し、前記第1状態では、前記フォトゲートの下の前記半導体基板内の第1領域に格納される電荷キャリアを生じさせるように、前記フォトゲートに第1コレクション電圧が印加され、前記第2状態では、前記第1領域から前記電荷キャリアを移動させるように第2伝送電圧が印加され、前記第1拡散領域は、前記フォトゲートと前記伝送トランジスタゲート間に位置しかつ前記伝送トランジスタのソースとして機能し、前記第2拡散領域は、伝送トランジスタのドレンとして機能し、前記第2拡散領域は、第1ポテンシャルとの第2ポテンシャルを有し、前記第2ポテンシャルは、前記第1コレクション電圧を基にした所定の固定値であり、前記第1ポテンシャルは、前記第2ポテンシャルと前記信号の関数であり、前記伝送トランジスタの前記第1状態では、前記伝送トランジスタは前記信号が前記第1領域にとどまるように不導通であり、前記第2状態では前記伝送トランジスタは前記信号が前記第1領域から前記第1拡散領域及び前記出力電子部品に流れるように能動状態であることを特徴とする第1コレクション電圧と第2伝送電圧をかけて、光学信号を電子信号に変換する単一多結晶シリコンCMOS能動画素。
IPC (2件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
