特許
J-GLOBAL ID：200903076564571867
半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012070
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041369
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【構成】 半導体ウエハ表面の洗浄作用または改質作用のある、例えば、フッ化水素のようなのガス状物質をミキサーにその流量を制御して供給し、上記ガス状物質を超純水に溶解させて所望濃度の薬液を作り、このような薬液と超純水とを任意の順序にかつ連続的に洗浄槽に供給して半導体ウエハを処理洗浄をする。【効果】 ミキサーを洗浄槽と別個に配置し、該ミキサーにより半導体ウエハ表面の洗浄作用または改質作用のあるガス状物質と超純水とを混合して薬液を生成し、該薬液を洗浄槽に供給しているので、ウエハ表面上への微粒子の付着および洗浄液からの不所望な不純物による汚染が防止されると共に、薬液の交換が容易になされ、薬液による洗浄-リンスが連続的に行われる。
請求項（抜粋）：
複数個の半導体ウエハを洗浄槽に収容する工程と、超純水を超純水供給ラインを通じてミキサーに供給すると共に、半導体ウエハ表面の洗浄作用または改質作用のある少なくとも1種以上のガス状物質を耐圧容器から上記ミキサーに供給して所定濃度の薬液を調製する工程と、上記薬液を上記洗浄槽に供給して上記半導体ウエハを洗浄処理する工程とを具備することを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
