シリコン基板の酸化方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井内龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238029
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094503
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】熱酸化時におけるシリコン基板11の酸化速度を部分的に減少させることができ、またシリコン基板11中のドーパント濃度を変化させることなく酸化速度を部分的に増大させることができ、しかもイオン注入量等を調節することにより酸化速度を制御して所望の厚さのシリコン酸化膜15、16を容易に部分的に形成することができる。従って、酸化膜厚の異なる領域を一度の熱酸化で形成することができ、ドーパントの拡散の防止、抵抗率の制御性の向上及び製造コストの削減を図ることができ、半導体製造の広い範囲で用いることができるシリコン基板11の酸化方法を提供すること。【構成】シリコン基板11に窒素イオン及びアルゴンイオンを注入した後、シリコン基板11表面の熱酸化を行うシリコン基板11の酸化方法。

請求項（抜粋）：