特許

J-GLOBAL ID：200903076569073920

多層セラミックコンデンサの製造方法

発明者： 鎌田 和広 ,  稲葉 明 ,  作田 恭一 ,  大羽 隆行
出願人/特許権者： デュポン・ジャパン・リミテッド
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058067
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291072
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、クラックおよびデラミネーションの発生を抑制できる多層セラミックコンデンサの製造方法を提供することである。【構成】誘電体組成物層および導電体組成物層の多層積層体を第1の温度で加熱処理する第1の工程と、該第1の工程を経た積層体を450°C/時間以上の昇温比率で該第1の温度より高い第2の温度まで加熱する第2の工程と、該第2の工程を経た積層体を該第2の温度よりさらに高い第3の温度で加熱処理する第3の工程とを有し、該導電体組成物層が導電性金属の微粒子および添加剤を含有する厚膜導電体組成物からなることを特徴とする多層セラミックコンデンサの製造方法。

請求項（抜粋）：

誘電体組成物層および導電体組成物層の多層積層体を第1の温度で加熱処理する第1の工程と、該第1の工程を経た積層体を450°C/時間以上の昇温比率で該第1の温度より高い第2の温度まで加熱する第2の工程と、該第2の工程を経た積層体を該第2の温度よりさらに高い第3の温度で加熱処理する第3の工程とを有し、該導電体組成物層が導電性金属の微粒子および添加剤を含有する厚膜導電体組成物からなることを特徴とする多層セラミックコンデンサの製造方法。

IPC (3件)：

H01G 4/12 364 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/30 311