特許
J-GLOBAL ID：200903076571559309
シリコンウエハ上のコンタクトホール内の自然酸化膜の除去方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235404
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047742
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウエハ上のコンタクトホール内の自然酸化膜を、BPSG膜やPSG膜といった絶縁膜との間の選択比の改善を図ってウエハ表面から除去し、半導体デバイスの品質向上を図る。【構成】 シリコンウエハをフッ化水素ベーパー及び高濃度のアルコールベーパーの混合ベーパーにさらしてエッチング処理する。アルコールベーパーは、フッ化水素のベーパー供給経路とは別の経路を通して容器内へ供給するようにする。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハ上に所要パターンのBPSG膜又はPSG膜の絶縁膜を被着することによって形成されるコンタクトホール内の自然酸化膜を、フッ化水素を使用して除去する方法において、外気から気密に隔離された容器内にシリコンウエハを収容し、その容器内のシリコンウエハをフッ化水素ベーパー及び高濃度のアルコールベーパーにさらすようにすることを特徴とする、シリコンウエハ上のコンタクトホール内の自然酸化膜の除去方法。
IPC (2件)：
H01L 21/308
, H01L 21/306
