特許
J-GLOBAL ID：200903076575645757
マイクロ波モノリシック集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315932
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235194
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】マイクロ波モノリシック集積回路が形成された半導体基板の裏面に部分的に絶縁膜を形成してFET部、バイアホール周辺と配線領域との見掛け上の厚さを変えることにより、FETの熱抵抗とマイクロストリップラインの線幅とを独立して最適設計できるようにする。【構成】GaAs基板1aのFET部2およびバイアホール3以外の裏面に(酸化シリコン膜6および)ポリイミドからなる絶縁膜4を形成したのち、裏面全体にAuめっき5を施す。こうして見掛け上の基板厚さをFET部2で薄くして熱抵抗を小さくし、マイクロストリップラインを構成する配線7のところで厚くして特性インピーダンスの増大を抑制する。
請求項（抜粋）：
複数の個別素子およびその配線が形成された半導体基板の裏面の一部に前記半導体基板よりも誘電率の小さい絶縁層が形成されたマイクロ波モノリシック集積回路。
IPC (4件)：
H01L 23/12 301
, H01L 23/12
, H01P 1/30
, H01P 3/08
