特許
J-GLOBAL ID：200903076578355067
レジストのアッシング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186008
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005563
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 レジスト除去工程においてSi基板及びSi02 膜等の下地層にダメージを与えず、レジストを完全に剥離除去するアッシング方法を提供することを目的とする。【構成】 プラズマ化した反応性ガスにより、半導体基板A上のレジストをアッシング除去する方法において、前記反応性ガスとして、酸素ガスと共に塩素系ガス及び/または臭素系ガスを用いることで、下地膜への影響を抑えつつ半導体基板上のレジストを完全に剥離除去する。
請求項（抜粋）：
プラズマ化した反応性ガスにより、半導体基板上のレジストをアッシング除去する方法において、前記反応性ガスとして、酸素ガスと共に塩素系ガスおよび/または臭素系ガスを用いることを特徴とするレジストのアッシング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
