不揮発性メモリ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-107477
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227944
出願日： 1995年05月01日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】浮遊ゲート電極を有する不揮発性メモリにおいて、浮遊ゲート電極下の酸化膜の耐久性や信頼性を増し性能向上を図る。【構成】第1導電型の半導体基板1の主面の表面層に一定の間隔をおいて形成され、かつ少なくともいずれか一方の表面の一部分が前記主面と異なる結晶面方位を有する面に形成された第2導電型のソース不純物拡散領域10及びドレイン不純物拡散領域11間に設けられたチャネル領域4が、前記ドレイン接合領域に近接すると共に該半導体基板主面と異なる結晶面方位を有する表面からなる傾斜部を有し、前記ソース不純物拡散領域10がドレイン不純物拡散領域11よりも相対的に上方に備えられている不揮発性メモリ及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の主面の表面層に一定の間隔をおいて形成され、かつ少なくともいずれか一方の表面の一部分が前記主面と異なる結晶面方位を有する面に形成された第2導電型のソース不純物拡散領域及びドレイン不純物拡散領域と、該ソース不純物拡散領域及びドレイン不純物拡散領域間に設けられたチャネル領域と、該チャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられた浮遊ゲート電極と、その上に少なくとも一部分が積層するように層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極を有し、前記チャネル領域が、前記ドレイン不純物拡散領域に接すると共に該半導体基板主面と異なる結晶面方位を有する表面からなる傾斜部を有し、前記ソース不純物拡散領域がドレイン不純物拡散領域よりも相対的に上方に備えられていることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭53-053983
特開昭60-038881
特開昭61-127179

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審査官引用 (7件)

特開昭60-053983
特開昭53-053983
特開昭60-038881

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