特許
J-GLOBAL ID:200903076579683270
高密度アレイを作製する方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 秀策
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-511049
公開番号(公開出願番号):特表2001-515735
出願日: 1998年05月19日
公開日(公表日): 2001年09月25日
要約:
【要約】標的物質の高密度アレイを製造する方法であって、この方法は標的ストランドのバンドルを切断する工程を包含し、ここで標的ストランドは標的物質を含み、そしてここで切断の結果複数の高密度アレイが得られる。さらに、この方法は、追加工程、例えば、標的ストランドまたはバンドルの安定化工程、1つ以上の追加物質を高密度アレイ中に取り込む工程、および高密度アレイに問い合わせする工程を包含し得る。また、本発明の方法に従って、高密度アレイが製造される。
請求項(抜粋):
標的物質の高密度アレイを製造する方法であって、該方法は、標的ストランドのバンドルを切断する工程を包含し、ここで該標的ストランドは標的物質を含み、そしてここで該切断の結果、50μmを越える厚みの高密度アレイが得られる、方法。
IPC (8件):
C12Q 1/68
, C12M 1/00
, C12N 15/09
, G01N 1/06
, G01N 1/36
, G01N 1/30
, G01N 33/53
, G01N 33/566
FI (8件):
C12Q 1/68 A
, C12M 1/00 A
, G01N 1/06
, G01N 1/30
, G01N 33/53 M
, G01N 33/566
, C12N 15/00 A
, G01N 1/28 R
Fターム (38件):
4B024AA01
, 4B024AA11
, 4B024CA01
, 4B024CA09
, 4B024CA11
, 4B024DA02
, 4B024DA05
, 4B024HA11
, 4B024HA19
, 4B029AA07
, 4B029BB01
, 4B029BB11
, 4B029BB13
, 4B029FA15
, 4B063QA01
, 4B063QA13
, 4B063QA17
, 4B063QA18
, 4B063QQ42
, 4B063QR32
, 4B063QR35
, 4B063QR43
, 4B063QR45
, 4B063QR48
, 4B063QR50
, 4B063QR53
, 4B063QR56
, 4B063QR66
, 4B063QR68
, 4B063QR75
, 4B063QR77
, 4B063QR79
, 4B063QR82
, 4B063QR84
, 4B063QS34
, 4B063QS39
, 4B063QX01
, 4B063QX07
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