特許
J-GLOBAL ID:200903076579973473

CMOS長距離配線駆動回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-333818
公開番号(公開出願番号):特開2001-156180
出願日: 1999年11月25日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】【課題】高速かつ低消費電力なCMOS長距離配線駆動回路を提供する。【解決手段】プリチャージ期間において、SW1をオフ、SW2をオン、B1によりTr2のゲートにTr2をオフする電圧を印加する。信号伝送期間において、SW1をオン、SW2をオフ、第1のバイアス手段により第2のゲートに(V1+Vth)より低い電圧V2を印加する。
請求項(抜粋):
第1のドレインを第1の接続点に接続し、第1のゲートを第1のスイッチ手段を介して第1の入力端子に接続し、第1のソースを第1の負の電源に接続した第1のN型MOSトランジスタと、第1の接続点と第2の接続点を接続する第1の伝送線路と、第1の接続点あるいは第2の接続点あるいは第1の伝送線路の途中に接続されていて第1の伝送線路を電圧V1に昇圧する第1のプリチャージ手段と、第2のドレインを第3の接続点に接続し、第2のゲートを第1のバイアス手段に接続し、第2のソースを第2の接続点に接続し、閾値電圧がVthである第2のN型MOSトランジスタと、第3の接続点と第1の正の電源を接続する第2のスイッチ手段と、第3の接続点と第1の出力端子の間に接続した第1のインバータ回路と、からなり、第1のスイッチ手段をオフ、第2のスイッチ手段をオン、第1のバイアス手段により第2のゲートに第2のN型MOSトランジスタをオフする電圧を印加して、第1の伝送線路のプリチャージを行い、第1のスイッチ手段をオン、第3のスイッチ手段をオフ、第1のバイアス手段により第2のゲートに(V1+Vth)より低い電圧V2を印加して、第1の入力信号から第1の出力端子へ信号を伝送することを特徴とするCMOS長距離配線駆動回路。
IPC (6件):
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  G06F 3/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 19/0175
FI (4件):
G06F 3/00 H ,  H01L 27/08 321 L ,  H01L 27/04 D ,  H03K 19/00 101 Z
Fターム (21件):
5F038CD05 ,  5F038CD13 ,  5F038DF01 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA00 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5J056AA05 ,  5J056BB06 ,  5J056BB14 ,  5J056BB17 ,  5J056BB32 ,  5J056CC19 ,  5J056DD13 ,  5J056DD28 ,  5J056DD29 ,  5J056EE11 ,  5J056FF08 ,  5J056KK01

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